据EETimes消息，根据韩国存储器巨头海力士和三星的观点，浸入式光刻技术的推出晚于市场需求，可能迫使芯片制造商考虑193纳米干法光刻和双次曝光技术来解决45纳米及以下工艺的量产。

很多芯片制造商都认为193纳米浸入式光刻技术将于2007年用于45纳米节点的量产。但是上周的SPIE光刻技术会议上，海力士和三星的两篇文章分别提出了同样的观点：193纳米浸入式光刻技术已经错过了进入50纳米NAND Flash制造的最佳时机。

根据海力士的文章，浸入式光刻机的缺乏将“不可避免地”导致客户考虑干法光刻和双次曝光技术。并且海力士目前已经成功利用双次曝光技术开发出了50纳米NAND Flash半成品芯片。

而三星在其文章中认为，相比逻辑器件，闪存与DRAM器件更加适合使用双次曝光技术。“实际上，浸入式光刻还没有准备好，”三星的文章中说。“双次曝光技术将会随着其产率的提高而成为更好的选择。”

“浸入式光刻终究会到来，”应用材料公司薄膜事业部总经理Farhad Moghadam说。“但是很可能不会在45纳米节点就得以大量应用。”

相关链接（英文）：
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml;jsessionid=JNQNCQIZY13NMQSNDBGCKH0CJUMEKJVN?articleID=180207176