据电子资讯时报网站报道，由韩国海力士（Hynix）及欧洲意法半导体（STMicroelectronics）共同合资成立的无锡8英寸晶圆厂，6月起产能将正式开出。据了解，该厂将先以投产SDRAM及DDR为主，至2007年将转移至投产NAND型Flash。

经过长达1年左右的迁厂及建厂工程后，海力士该座8英寸厂已于2006年4月正式进入试产阶段。且由于是由韩国整套移转过来的机器设备，因此在制程技术上相当成熟，初步阶段良率已高于预期的81％。因而海力士及意法，决定加快12英寸设备移入速度，估计在6月底12英寸厂房设备将全数完成装机，约8月中旬开始进行12英寸厂试产。

至2006年底海力士无锡8英寸厂产能将达到月产4万片，至2007年底则会达到8万片。12英寸厂则预期在2007年下半年以3万～4万片间满载产能投片。