ALPS等离子气相淀积镍技术，可实现在40nm线宽下电阻率降低20%到50%。
　　ALPS镍工艺是设计用作先进的栅硅化物工艺的，在纵横比为2.5:1的亚100A薄膜中，它的底部覆盖也能比50%还要好。因此,尽管这种技术消耗的硅只是常规硅化物工艺的一半，它还是能提供一个低漏电的界面。Endura ALPS镍系统把PVD很好的带到了65nm时代，并且超过了在关键晶体管应用中，客户对大量生产所需要的可靠性和灵活性的要求。ALPS镍系统可以用于200mm和300mm工艺，它既能装在Endura平台上也能装在最近推出的Endura2平台上。
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