Reflexion LK Ecmp系统可以在Applied Materials公司的Reflexion LK平台上实现化学机械平坦化功能。该系统性能好、成本低，可以满足65 nm及以下铜/低k制造工艺的要求。该系统将Applied Materials公司的研磨台结构和Ecmp工艺结合在一起，通过电化学过程除去大部分铜，平坦化速度大于每分钟6000A。平坦化速度与下压力大小无关。该系统非常适合于易碎的超低k薄膜，它可以尽可能地减小双嵌入式结构平坦化过程中产生的凹陷（dishing）, 腐蚀（erosion）和各种缺陷。此外，由于采用了低成本的电解液取代铜研磨浆，因此大大降低了耗材成本。剩下分布均匀性较好的铜薄膜和Barrier（阻障层）/Liner（垫层）材料可以通过低下压力平坦化过程除去。
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