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飞思卡尔半导体推出六款新组件,进军ISM市场

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  飞思卡尔半导体(Freescale)日前表示,将以新开发的高电压RF功率技术,以及符合成本效益的超模压塑料封装技术展工业、科学及医疗(ISM)市场。该公司同时发布了一系列针对HF/VHF频带(10-450MHz)及2.45GHz ISM频带所设计的晶体管,希望将其在通讯及封装领域的技术延伸到ISM市场。 

  飞思卡尔针对HF/VHF与2.45GHz ISM频带市场分别推出了六款新组件。针对位在10~450MHz间的HF/VHF频带,飞思卡尔提供了三款使用VHV6 50V LDMOS技术的晶体管,包括旗舰产品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB (150瓦、69%效应比及25dB增益值),以及MRF6V2010NB (10瓦、68%效应比及25dB增益值)。   

  其中旗舰级ISM产品MRF6V2300NB是一款300瓦、使用50V LDMOS的晶体管,其操作频率达450MHz,并以TO-272-WB-4超模压塑料方式封装。该组件的增益比达27dB、效率达68%,能让ISM系统设计者省下任何增益层级,因而降低整体系统成本、并简化电路板面积。该组件的强固容忍度达10:1的VSWR。   

  而在2.45GHz的ISM频带方面,飞思卡尔则提供了另外三款使用28V LDMOS技术的组件:MRF6P24190H (190瓦、46%效应比及13dB增益值)、MRF6S24190H (140瓦、46%效应比及13dB增益值),以及MW6IC2420NB (两段式20瓦、21%效应比及21dB增益值)。   

  此次发布的新组件是以该公司50V VHV6 RF LDMOS技术(第六代超高电压RF横向扩散金属氧化半导体,LDMOS)为基础。该技术是以飞思卡尔的28V LDMOS技术进行改良而成的50V版本。将LDMOS技术的供电压提升至50V,将使设计师能够取得更高的功率。此外,超模压塑料封装组件也提供了更符合成本效益的ISM解决方案。   

  飞思卡尔表示,其超模压塑料封装技术将让客户开发出极具成本效益的ISM应用,如电浆产生器(plasma generators)及核磁共振摄影(magnetic resonance imaging,MRI)系统等。目前六款组件均已开始提供样品上市,而三种2.45GHz的组件亦已量产。MRF6V2150NB预计于2006年8月全面量产,MRF6V2300NB与MRF6V2010NB也预计于2006年第四季量产。

来源:e代电子   作者:  2006/6/19 0:00:00
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