据Semiconductor Reporter网站报道，ASML公司在2006年于美国加州召开的SPIE光刻技术会议上展示了其浸入式光刻机制作出来的42纳米线条。同时展出的还有使用深紫外（EUV）光刻机样机制作的35纳米线条图片。

这台称为XT:1700i的193纳米浸入式光刻机，拥有数值孔径为1.2的折反式透镜，比目前最先进的干法光刻机分辨率提高了30%。ASML还表示目前的工作已证实了XT:1700i可以用于45纳米量产。

ASML的客户之一台积电，日前声称其已开发出新的技术可以把浸入式光刻的缺陷降到最低。多批试验片的结果表明，单片芯片上的缺陷非常少，最低的仅有3个。

ASML还收到了其干法光刻机客户希望将干法光刻平台升级成湿法的要求。ASML共售出50多台可升级的干法光刻机。随着浸入式光刻得越来越成熟和客户对65纳米以下工艺要求的日益增多，将会有越来越多的客户提出升级其光刻系统的要求。

ASML希望其EUV系统不仅仅用于32纳米光刻的基础研发，而是希望能够商业化。ASML计划于下季度在Albany纳米技术中心和比利时的跨院校微电子研发中心推出其数值孔径0.25的EUV光刻机。

相关链接（英文）：http://www.semireporter.com/public/12278.cfm
http://www.ithowwhy.com.cn/n/article.asp?nk=DY,2006/02/23,Z1,3