ZDNet China3月11日报道：高通今日宣布，2004年将采用台积电90纳米低介电系数系统单芯片技术，生产其低功率第三代CDMA手机芯片组，之前高通公司几乎都集中委托IBM代工。

　　除高通外，NVIDIA与ATi均已采用台积电0.11微米工艺量产绘图处理器，估计2004年下半年都将转进90纳米。另外，威盛电子下半年也会启用台积电90纳米工艺。台积电表示，该公司提供客户多样的Nexsys90纳米逻辑工艺技术，包括泛用型(G)、低功耗(LP)及高速(HS)工艺技术。目前台积电的晶圆12厂已使用90纳米工艺技术为客户进行生产。未来晶圆14厂（12寸厂）量产时，也将导入90纳米。（熙平）