无锗应力SOI晶圆用于部分耗尽型(厚度>35 nm)和完全耗尽型(厚度<25 nm)CMOS IC结构。这种晶圆使芯片制造者通过克服前道整合和含锗SOI技术相关的良率问题将未来芯片电子迁移率提高了80%。它运用Smart Cut工艺制造，并且和现有的SOI技术高度兼容。这种200 和300 mm衬底在高速低功率集成电路中有广泛的应用。
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