近日，ARM 公司和联华电子联合宣布：两家公司签订协议，ARM将向联华电子先进的130纳米工艺技术提供Artisan Metro低功耗IP平台。ARM Artisan物理IP是专为高性能的便携式电子设备所开发的，能够在提高密度和良产率的同时显著地降低功耗：功耗降低最高可达80%，面积缩小最高可达20%，并提高良产率。为联华电子130纳米工艺最优化后的ARM物理IP将向代工厂用户提供理想的低功耗便携式IC设计解决方案。ARM公司设计先进的数字产品核心应用技术，应用领域涉及：无线、网络、消费娱乐、影像、汽车电子、安全应用及存储装置。

本次授权的ARM物理IP产品包括为低动态和低漏泄功耗设计的Artisan Metro标准元、I/O及存储器。所有这些产品都在扩大的电压范围内突出了时钟和功耗，使得用户能够对多电压设计做准确的流片前模拟。这些IP遵从Artisan设计标准并支持最新的业界领先的EDA工具，从而简化了功耗最优化设计，并提高了设计效率。这一套产品提供了电压级开关和能源门控元等库内容来同存储器和标准元块一起使用，从而实现了先进的能源管理方法。此外，这一协议也使得ARM能够通过其Artisan Access Library Program将基于联华电子的IP在全球范围内免费提供给获得许可的设计团队。

联华电子IP和设计支持部总监Ken Liou先生表示：“联华电子致力于向用户提供最新的技术来解决纳米设计中的能源管理问题。同ARM公司的这一协议为联华电子的低功耗IP产品线增添了已获流片认证的Artisan Metro模拟以及数字和混合信号低功耗IP，也使我们能够更好地为用户提供更多的工具来帮助他们实现成功的低功耗SoC解决方案。”

联华电子同ARM的这一协议是在两家公司与其他几家领先的公司一起合作开发出全面的低功耗、高性能的针对ARM926EJ-S处理器的SoC技术展示芯片后签订的。

ARM物理IP市场部副总裁Neal Carney先生表示：“对纳米设计进行动态和漏泄功耗的最优化是IC设计者所面临的一个挑战。ARM已经同联华电子进行了紧密的合作，将我们的Artisan低功耗平台产品应用到联华电子的130纳米工艺中，以此来解决这些挑战。将这些产品包括进Artisan Access Library Program而免费向IC设计者提供，也令代工厂用户能够将复杂的低功耗设计技术变为IC设计的主流。”