IBM日前表示将开发在碳纳米管上融合一片集成电路的器件。该技术有望加快下一代芯片产品的面世。

据近日发行的《科学》期刊报道称，IBM研制了五级环形振荡器，由12个并排的场效应晶体管(FET)组成，沿着单个碳纳米管的长度排列。

IBM表示，“通过调整所使用的单个P型和N型FET的门级工作功能，实现了互补金属氧化半导体结构。”该器件融合了碳纳米管和FET的优势。“单壁碳纳米管(SWCNTs)展现了优秀的电气特性，如经过数百纳米室温下的弹道传输。”

该公司表示，“由单个管制成的场效应晶体管显示的直流性能规范可与那些最先进水平的硅器件匹敌。下一重大举措将是在SWCNT上加工集成电路，以研究SWCNT的高频交流能力。”