---- 市场上对于能够处理大电流，并且具有小型封装的高功率MOSFET器件的需求越来越大，从而促使人们去努力开发8引出端封装，使它的热特性能够超过所有其它形式的封装。新开发的封装采用突起的焊料接触点，不需要使用连接线，能够适应现有的和正在开发中的微处理器对于散热的要求。

图：无底的SOIC封装采用了焊料突起结构，结到封装外壳的热阻可以降低到1℃/W;远远低于传统的八引出端的SOIC封装。

---- 仙童半导体公司（位于美国加州的Sunnyvale）开发成功了称为无底封装(bottomless package)的新型封装。它是工业界第一次出现的具有八个引出端，占用线路板的面积和SOIC相同的标准封装。它的热性能又和比它大得多的TO-263（D2 Pak）封装相当。它采用焊料突起技术，即在进行装配前，先在晶圆片上形成焊料的突起用作连接，而不需用通常使用的连接线。

---- 近来用于数字化电子产品电源的DC/DC变换器，数量越来越多;变换器采用功率MOSFET，提供需要低电压和大电流的电源。这类电子产品还包括下一代的服务器和台式计算机，它们所用的微处理器电流可能高达80A。仙童公司所开发的此种封装，就是针对这种功率MOSFET的要求而开发的。

---- 由于废弃了传统的连接线，采用焊料突起作连接有利于散热;其次，在结构上又使MOSFET芯片的背面直接和散热器接触;从而使封装的结到封装外壳的热阻由过去的SOIC的25℃/W，降低到1℃/W。耗散的热量除了经由漏极接触通过封装底部散出外，还可以经由源极焊料接触散发出去，从而进一步改善了散热条件。

---- 从表中数据可以看出无底封装的导通电阻最小;由结到环境的热阻比相当的D2-PAK和SOIC封装都低;而能够处理的电流却要大60%。这样，系统设计人员就有可能在不增加线路板的面积，或增加元件的数量的情况下，得到更多的输出电流。

---- 仙童公司计划首先用无底封装，装配一批PowerTrench系列的MOSFET器件。第一种产品将是FDS7044A MOSFET;当VGS为4.5V时，它的RDS(ON)导通电阻的典型值为4.5mΩ，输出电流为20.9A。当批量达到1万只时，每只价格为0.95美元。如愿了解更多的信息，请和仙童半导体公司的客户服务部联系，美国电话为：001-888-522-7372;或请访问PowerTrench网页：http://www.powertrench.com。