导航: 2005年7月21日，由《半导体国际》举办的"晶圆清洗技术"研讨会在上海张江成功举行！
本次研讨会共吸引了超过180位相关领域的工程师和技术人员到场参加，涵盖了几乎所有中国大陆的晶圆制造厂，包括中芯国际、华虹NEC、宏力半导体、先进半导体、新进半导体等等，海力士（无锡）和和舰科技等公司也派代表专程赶来参加。同时，到场的听众还有来自封装测试公司、IC设计公司及科研单位的相关人员。
来自Semitool Inc、FSI International、SEZ、中芯国际、华虹NEC和中科院光电研究院的专家们就他们现在所使用的清洗技术和在实际生产中的解决方案为到场的观众带来了精彩演讲，整个研讨会现场气氛热烈，每位嘉宾后总能引来长时间的提问。内容的实用性无疑是本次研讨会最大的亮点，相信给每位参加研讨会的听众带去了收获。
研讨会后，《半导体国际》对此次参加研讨会的人员组成，演讲效果和工程师在工作中所关注的实际问题等等，进行了一个简单的读者调查，我们在此和广大读者共享调查结果。
感谢以下公司对本次研讨会的大力支持：
Cleaning Options With Batch and Single Wafer Technology Semitool, Inc
朱林博士的演讲是对Semitool 公司现有的晶圆清洗技术，这些技术来自包括其在批量晶圆处理上26年和单晶圆处理方面17年的经验，介绍的湿法工艺平台包括喷雾、蒸气、浸没和超声波技术，涵盖了180纳米到32纳米技术节点的前道及后道应用，如：边缘薄膜去除、刻蚀后的清洗，高低K介质材料的清洗和背面聚合物清洗等等。
WSi沉积预清洗制成的优化及良率提高 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
在DRAM/HV产品的Polycide制成中，在WSi沉积前的去除自生氧化物的HF清洗后，极易形成水痕造成良率的重大损失。中芯国际二厂根据高掺杂表面多晶硅经过清洗后斥水性地特点，通过对酸槽的干燥部分的干燥程序进行反复实验调整，找到了避免水痕的解决方案，大大提高了产品良率。
High PRE, Low Etch FEOL Post-Ash Clean FSI International
FSI国际从工艺性能、成本、生产优势和设计特点等多方面介绍了批次喷雾式的清洗技术，同时介绍了这种技术在前道和后道的应用，它比浸入式清洗具有更高地颗粒去除率，更小的氧化层损失，而且在CoO和产量等方面具有相当的优势，可用于90nm及以下节点。
金属(Al/Cu)刻蚀后清洗中铜颗粒问题及其对策 上海华虹NEC电子有限公司
随着金属（Al/Cu）线宽的缩小，刻蚀后的生成物清洗过程中，会有微小的Cu颗粒产生，不仅有可能导致配线短路，还会影响产品的可靠性。HHNEC通过对工艺参数、工艺集成、设备和化学药液等主要影响要素的分析，针对同析出的机理，对工艺进行调整，有效的解决了问题。
常压射频冷等离子体清洗光刻胶设备技术介绍中国科学院光电研究院
介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备，用该设备进行了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度的变化关系。实验结果表明：当氩气流量为5L/min ,氧气流量为25sccm，入射功率为300W时，对9912光刻胶的清洗速率为500nm/min;对离子注入（B+, 5×1015）后的光刻胶也进行了清洗实验，当氩气流量为5L/min，氧气流量为25sccm，入射功率为350W时，清洗速率为300nm/min。清洗后的电镜分析证明，经等离子体清洗后，在晶圆表面无损伤、无残胶。
DSP+ Application for AlCu Polymer Removal SEZ
常规的聚合物去除剂是以有机剥离剂为基础的，它的拥有成本（CoO）很高。SEZ介绍了使用DSP+这种酸性含水溶液消除有机残留物的方法。DSP+是一种各向同性的，对铝的蚀刻率很低的蚀刻剂，可形成钝化层，防止对铝铜合金的电化学侵蚀。其中的H2O2充当着抑制剂，防止任何从硫酸转变为硫酸盐进入钝化层的转变。DSP+既是对生产线前端结构，也是对铝导线的一种优异的清洗解决方案，可以降低成本和提高合格率。
读者调查结果
演讲效果
技术与市场
