导航:图形存储系统的带宽从1996年的每秒大约550兆字节增加到2002年的每秒大约20千兆字节，与个人计算机存储器和大多数其他消费电子产品的带宽要求相比，这是简直飞跃一般的增长。现在我们可以期望，高档图形存储器的带宽今年将超过35千兆字节，明年将超过44千兆字节。要实现这样高性能水准的存储器设计，必须具备设计创新、使用简便、拥有足够性能净空等特点。
鉴于图形处理永无止境的速度要求，图像应用市场将成为图形DDR（GDDR3）的第一个目标市场。进而，其他一些刚刚出现的高速点到点消费者应用产品（如HDTV）也将获益于GDDR3的卓越性能。
GDDR3的规格是领先的图形应用和存储器公司的系统和存储器设计人员为了达到500 MHz以上时钟频率的临界系统要求而共同努力的结果。这种合作加强了多来源能力，促进了市场对产品的接受。
GDDR3的设计是用基准DDR2技术提供一种创新的、系统友好的组件，以此达到高速点到点应用所需的额外带宽。但是，普通的基准DDR2功能本身是不能达到所需带宽的。在极端的频率处理数据，需要特别注意速度和信号完整性影响因素的细节。因此，速度限制功能或者被取消，或者被强化。
以下特征可以最大程度地提高信号完整性，使在实际系统环境中高速操作成为可能。
● 电压水平：以0.11μm 的设计规则，1.8V 的核芯和输入/输出电压，取得最大速度和最小功耗。
● 输入/输出接口：输入/输出接口使用一个通过芯片内终止而终止到VDDQ的推拉式驱动器。低-高转换实现源终止。这样可以充分降低个人计算机功耗，因为只有在驱动逻辑低电平时耗电。此接口还简化了数据时钟化，因为所有三态信号都会自然浮动到一个已知的逻辑1状态。
● 输出驱动器校准：此功能使驱动器阻抗与系统相匹配。输出阻抗在电源接通时依据一个外部精密电阻器进行校准，当不进行读取时，将在所有自动刷新和NOP命令过程中进行更新。此功能可使设备在处理过程中透明化地补偿电压和温度变化，产生非常稳定的线性驱动特征。
● 芯片内终止(ODT)：芯片内终止通过单负荷或双负荷DQ设置使用60Ω/120Ω、双负荷或四负荷寻址/控制设置使用120Ω/240Ω而加强信号的完整性。芯片将监控总线的读取命令。如果发现一个读取命令，设备将禁用输入/输出终止功能。实际终止值将被更新，以便在输出驱动器被校准的同时消除电压和温度变化。
● 单端读写数据选通：读写使用单端选通，可使总线回转更快，并降低码间干扰（ISI）。
● 供应商标识号和芯片修订号：如果选择此选项，可将设备的供应商标识号和芯片修订号驱动到DQ位0-7上。这样可以根据板上安装的设备的供应商标识和芯片修订号进行客户化，从而增加用户的灵活性。
GDDR3的设计以基本功能为基础，但提供业界领先的性能。普通样品制造和批量生产的预定时间分别为2003年第3季度和第4季度。欢迎您深入了解此激动人心的新技术。您可在美光网站查阅关于GDDR3的技术说明和DesignLine刊物，网址是：www.micron.com。
（美光公司供稿）