据半导体技术网站报道，全球功率半导体和管理方案领导厂商——International Rectifier(IR)近期发布了其全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。

IR中国大陆及香港销售总监严国富指出：“MOSFET的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型SO-8封装器件均采用了IR的沟道MOSFET技术，可以大幅度降低RDS(on)和Qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。”

这些中电压MOSFET配合IR的低电压MOSFET和控制器IC，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与SmartRectifierTM智能整流器IR1167一起应用于笔记本电脑适配器等AC-DC电源时，这些新型SO-8封装器件则可替代两个大型的TO-220 MOSFET及对应的散热器，可使整体系统效率提高1%。