日前英特尔推出了全球一款采用0.13微米（130纳米）工艺生产的快闪存储器。与采用0.18微米的快闪存储器相比，这款新的产品体积缩小了50%并且功耗更低，使之成为移动电话、机顶盒和其他需要体积小功耗低的电子产品的理想选择。
    
     英特尔公司资深副总裁兼无线通讯和计算事业部总经理Ron Smith说：“英特尔在技术创新和可靠性方面继续领导闪存行业。英特尔是业界领先的快闪存储器供应商，我们的目标是在竞争对手交付0.18微米产品之前抢先交付0.13微米闪存产品，从而使英特尔比主要竞争对手在技术方面领先两代。”
    
     今天发布的英特尔®3伏Advanced+ Boot Block闪存是英特尔Advanced Boot Block闪存家族的新成员。该产品家族的生产数量现已超过7亿，使之成为全球销量最大的闪存产品。英特尔闪存产品通过内部处理器存储的程序编码为移动电话等产品提供动力。这种芯片还可以存储如产品地址薄等用户数据。
    
     英特尔在7月宣布了5款新型移动处理器，包括移动奔腾III-M处理器，从而 成为首家提供基于0.13微米工艺产品的公司。英特尔还推出了面向台式机和服务器的采用0.13微米工艺的处理器。上周全球第一个采用0.13微米工艺批量生产微处理器的英特尔芯片厂开工。目前英特尔在全球已有四处生产设施采用0.13微米工艺。
    
    提高闪存密度的新型生产工艺
    
     随着移动电话走向互联网和数据的密集应用，需要发展密度更高的快闪存储器来处理这些应用。不过，这些密度更高的快闪存储器必须降低功耗，并且采用更小的物理体积，以维持移动电话的电池寿命和外形不断缩小的趋势。新型Advanced+ Boot Block闪存可以向移动电话制造商提供世界上体积最小的 32Mbit芯片，比英特尔80年代中期推出的最初的快速存储器的尺寸小200多倍。这种新的工艺技术将允许英特尔建造密度高达512Mbit的快闪存储器，从而使需要为他们的产品提供更先进的功能和性能的移动电话制造商们进一步受益。
    
     英特尔的0.13微米生产工艺可以生产世界上最快的晶体管、最小的晶体管门电路和最薄的栅氧化层。所有这些特性共同构成业界最高性能的低功耗产 品。
    
     3伏Advanced+ Boot Block闪存分别有32Mbit和64Mbit两种密度。32Mbit 的芯片目前已提供样品并可于明年二季度投入生产。64Mbit的芯片2002年晚些时候也将投入生产。当批量为10,000片时，32Mbit芯片的单价为11美元， 64Mbit的单价为19美元。新的闪存产品是对英特尔不断增长的产品线和英特尔®个人互联网用户端架构（英特尔PCA）的最新的补充。英特尔PCA是构建集成了语音通信和互联网接入能力的无线手持通信产品的蓝图。