意法半导体在华盛顿DC特区举办的2005年国际电子器件大会（IEDM），ST将为本届大会带来13篇独立创作和合作创作的科技论文，ST的顶级力作包括展示世界上存储单元最小（0.042平方微米）的65 nm NOR 闪存技术和一个创新的HBT（异质结双极晶体）体系结构，HBT符合了高性能低成本的基于RF CMOS平台的最苛刻的应用开发要求。

       ST将针对高性能的1位/单元和2位/单元产品公布一个存储单元尺寸最小（仅为0.042平方微米）的65nm NOR闪存技术.为了解决今天的无线通信应用对更高密度闪存的苛刻需求，ST的方法是利用钴自对准硅化物和三个铜金属化层集成65nm NOR闪存阵列和1.8 V应用低压CMOS逻辑电路。