的超低导通电阻值。 这些 TrenchFET 第二代器件实现了巨大的空间节约,它们的尺寸仅为 3.3 毫米×3.3 毫米×1 毫米,仅是 SO 8 封装的 1/3,并且它们还具有不足 2 C/W 的低热阻,这一热阻值比 SO 8 器件低 8 倍。
新型功率 MOSFET 主要面向用于数据通信系统的负载点 (POL) 转换器及高密度直流到直流转换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用,它们可使设计人员极大减少板面空间以及/或提高功能,同时性能毫不逊色。凭借它们出色的电气性能,日前推出的这些功率 MOSFET 可作为众多应用中 SO-8 器件的可行替代产品。
采用 PowerPAK 1212-8 封装的这些新型功率 MOSFET 的样品和量产批量均已提供,大宗订单的供货周期为 12 周。
