产品说明：

Cu-65LP和Cu-65HP系列ASIC使用了65nm工艺。Cu-65LP系列的泄漏电流仅为采用90nm工艺的以前型号的1/30，可在电池供电的设备中实现更多的功能。Cu-65HP系列的性能增加了20%，适用于高速应用。
与采用90nm工艺的芯片相比，采用65nm工艺的芯片在一个基板上可堆叠近2倍的电路，减少了大量成本。为实现电源管理和一次设计成功，两个系列的芯片使用了集成的噪声、电源和时序设计方法以及电压岛设计。多门限电压库实现了功率和性能之间的平衡，还采用了先进的统计方法。