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STM32使用Flash存储器当作EEPROM来保持数据

导读:嵌入式应用中经常会遇到需要保存一些数据比如选项和设置等等,为了在设备关机或掉电情况下数据不丢失,我们会讲数据保存在EEPROM里面。STM32系列MCU已经被广泛的使用,可是该芯片内没有EEPROM。如果外接一片EEPRM会增
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嵌入式应用中经常会遇到需要保存一些数据比如选项和设置等等,为了在设备关机或掉电情况下数据不丢失,我们会讲数据保存在EEPROM里面。STM32系列MCU已经被广泛的使用,可是该芯片内没有EEPROM。如果外接一片EEPRM会增加硬件成本。

本文将以STM32F0为例介绍一种使用片内Flash替代EEPROM的方法,仅供大家参考。

STM32F0芯片内部Flash页尺寸为1k。

首先程序需要使用STMicroelectronics提供的标准外设库中的stm32f0xx_flash.h。如下:

#include "stm32f0xx_flash.h"

//定义常量 (以STM32F051R8为例)
#define FLASH_PAGE_SIZE((uint32_t)0x00000400)
#define FLASH_USER_START_ADDR((uint32_t)0x0800FC00)
#define FLASH_USER_END_ADDR((uint32_t)0x08010000)

//定义需保存数据的结构
typedef struct
{
uint8_t sensitivity;
uint8_t track_no;
uint8_t high_lumi;
uint8_t low_lumi;
uint32_t hold_time;
uint8_t adc_output;
uint8_t dim_step;
uint16_t reserved;
uint32_t data_valid;
} _settings;

//为了方便变量的使用和在Flash里面的存贮,定义一联合
typedef union
{
uint32_t DataAll[4];//因为变量结构总共为16 bytes,所以为4个32位变量
_settings DataI;
} settings;

//申明变量,注意一定要四字节对齐
A_ALIGNED volatile settings sensor_set;

//各功能函数
void UserErase(void)
{
FLASH_ErasePage(FLASH_USER_START_ADDR);
}

void UserRead(void)
{
int i;
uint32_t address_t;

address_t = FLASH_USER_START_ADDR;

for(i=0;i
{
sensor_set.DataAll[i] = *(__IO uint32_t *)address_t;
address_t += 4;
}
}

void UserWrite(void)
{
int i;
uint32_t address_t;

//Unlock the Flash to enable the flash control register access
FLASH_Unlock();

// Erase the FLASH pages
UserErase();//FLASH_ErasePage(FLASH_USER_START_ADDR);

// Program the user Flash area word by word
address_t = FLASH_USER_START_ADDR;

for(i=0;i
{
FLASH_ProgramWord(address_t, sensor_set.DataAll[i]);
address_t += 4;
}

// Lock the Flash to disable the flash control register access (recommended
//to protect the FLASH memory against possible unwanted operation)
FLASH_Lock();
}

//变量的使用

//在main()函数做初始化时读取设置参数
UserRead();

//使用设置参数
if(sensor_set.DataI.sensitivity == 1)
{
//
}

//根据需要改变设置参数为3
sensor_set.DataI.sensitivity = 3;
UserWrite();//记住任何一个设置改变了都需要保存到Flash里面。


来源:互联网   作者:karen  2019/1/7 19:00:01
栏目: [ STM32单片机编程]

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