美国德州仪器（TI）日前公布了在本公司及其他公司的6家工厂生产65nm节点（hp90）逻辑LSI的计划。将在TI内部的3家工厂确保最基本的生产能力，超出这一生产能力的需求则通过TI外部的3家半导体代工厂进行生产。

　　TI内部的3家工厂分别是：位于德克萨斯州达拉斯市的“KFAB”和“DMOS6”，以及位于理查德森（Richardson，从达拉斯市开车15分钟即可到达）的“RFAB”。KFAB已从2005年3月开始提供65nm数字基带LSI的样品。并计划从2005年第四季度开始量产供货，对65nm产品的量产供货在全球相当早。DMOS6将从2005年第三季度开始分批生产65nm产品，并计划从2006年上半年投入量产。KFAB和DMOS6还在负责生产90nm产品，65nm产品方面主要起一个工艺开发基地的作用。因此，TI计划建设RFAB以主要承担65nm产品的生产任务。RFAB从2004年11月开始动工，目前还在建设当中。计划从2006年6月导入生产设备。RFAB除生产65nm产品以外，还将致力于45nm工艺的开发。

　　此外，TI外部的半导体代工厂方面，将与台湾联华电子（UMC）、台积电（TSMC）以及中国中芯国际集成电路（SMIC）进行合作。TI从130nm产品的量产开始正式利用半导体代工厂，并与上述3家企业建立了合作关系。65nm产品方面，TI在2004年第四季度与UMC签订了代工合同，计划从2006年上半年开始生产。目前，TI正在签订第2份代工合同，产品计划于2006年下半年投产。第3份代工合同也在计划当中。据悉，第2和第3份合同将分别与TSMC和SMIC签订。另外，TI公司65nm以后的工艺战略计划在9月刊的《日经微器件》上予以介绍。