根据台湾Digitimes消息，英特尔与美光合资的NAND型Flash公司 “IM Flash Technologies”已成功开出72纳米工艺产能，MLC工艺产品也应已接近送样阶段。

分析师指出，IM Flash应已成功开出5％～10％左右72纳米工艺产能，虽然初期仍将是以SLC工艺为主，但MLC工艺应可随后进入成熟阶段，相较之下，包括三星电子 （Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）与海力士（Hynix）等日韩NAND型Flash厂先前所享有的成本优势，已然不再。

Semico Research亦表示，除了在制造成本优势以外，美光日前宣布收购快闪存储卡业者Lexar更是一项有趣的发展，Lexar早已建立完整的销售渠道，而美光与英特尔则有优越的产能供应，两者携手恐将成为新帝不可小觑的对手。

IM Flash正式建立于2006年1月6日，使美光和英特尔合资成立的半导体制造公司，专门为美光和英特尔生产芯片。双方也已经同意以现金、债券和资产的形式分别向合资企业贡献大约12亿美元的资金。美光和英特尔在IM Flash Technologies LLC中分别持股51%和49%。之后，美光和英特尔将在未来三年中分别再向合资企业注入14亿美元，而且如果有利于支持业务增长，还将追加投资。生产业务计划在美光的晶圆厂中进行，这些工厂分别位于美国爱达荷州的Boise、弗吉尼亚州的Manassas和犹他州的Lehi。

相关链接（英文）：http://www.ithowwhy.com.cn/n/article.asp?nk=DY,2006/03/13,Z1,4