Nitronex获得2180万美元GaN RF芯片投资

据EE Times网站报道，无线应用GaN RF功率晶体管生产商Nitronex Corp.近期宣布，该公司获得了一项来自于Alloy Ventures、Intersouth Partners、Arch Venture Partners和 Diamondhead Ventures等公司的2180万美元的投资。

Nitronex成立于1999年，该公司于2000年11月获得了950万美元的投资，2003年7月再次获得1130万美元投资，2004年获得600万美元的投资。

基于其GaN工艺，Nitronex公司已经发布了针对WiMax市场的一系列的RF功率晶体管产品，这标志着GaN基底功率晶体管产品正逐渐地进入商用宽带无线市场。公司表示，此项投资将被用于进一步完成产品的研发和扩大其生产能力，从而扩大其全球市场。