根据台湾Digitimes网站报道，联电日前宣布，已与美商Impinj策略结盟，针对联电的0.18微米与0.13微米CMOS工艺技术，共同推出Impinj的AEON嵌入式非挥发性内存（NVM）核心产品群;由于AEON非挥发性内存核心无需额外的光罩或是工艺步骤，将可大大缩短应用联电制程量产客户的设计开发时间。

Impinj硅知识产权产品副总Larry Morrell表示，公司与联电的合作，将可提供客户最具市场竞争力的非挥发性内存。

联电知识产权研发与设计支持部长刘康懋亦表示，通过Impinj已经过硅验证的非挥发性内存IP，在联电0.18微米与0.13微米设计平台上，客户将具有轻易开发单芯片产品的时间及价格优势。