据EE Times网站报道，6月2日力晶宣布与瑞萨签订4Gb AG-AND闪存的技术移转和产销合作协议，力晶将投入高容量闪存市场，进入主流规格代工厂商行列，未来与本业DRAM结合，将更加巩固力晶在内存领域的地位。

继2006年元月力晶与日商瑞萨（Renesas）签署1Gb AG-AND闪存合作计划，由瑞萨提供技术、力晶代工之后，目前力晶为瑞萨代工的1Gb AG-AND闪存每月投片量约5,000 片，但由于目前1Gb产品已非主流，力晶与瑞萨决定合作延伸至主流的4Gb规格。

力晶表示，签订新合约后，力晶为瑞萨代工的AG-AND闪存每月产能将倍增至1万片以上。同时，力晶也宣布将调高全年资本支出至700亿元，加快将购买旺宏的12M厂导入量产，以满足闪存新增产能需求。

此外，力晶表示，在DRAM本业方面，标准型DRAM已全数转至12寸厂生产，目前超过70%以上投片量都采90nm制程，产出部分已超过5成比重，良率达8成以上，DDRII配置已在40至50%左右。

相关链接（英文）：http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=188701353