据大庆网报道，大庆国家高新技术产业开发区大庆佳昌科技有限公司经过三年的努力，采用自主创新的WLEC法技术，成功拉制出国内第一颗直径200毫米砷化镓单晶，实现了我国大直径8英寸砷化镓单晶生长技术零的突破。

砷化镓作为一种化合物半导体材料，在高速集成电路等领域拥有重要的应用。目前8英寸单晶砷化镓的生长技术世界上仅有德国FCM公司、日本住友公司拥有。佳昌科技的这项成果填补了国内空白，在国内半导体材料业界引起轰动。

大庆佳昌科技有限公司是以化合物半导体材料的研发、生产、销售为主营的高科技民营企业，企业所承担的“高速集成电 路用砷化镓单晶及抛光片产业化示范工程”项目是经国家发改委批准的振兴东北老工业基地第一批高技术产业化示范工程发展专项项目，也是国际上第一条采用 WLEC法拉制工艺生产优质砷化镓单晶的产业化项目。

据悉，佳昌科技公司计划该项目总投资21936万元，目前项目一期建设已完成，并已投入生产。预计2007年5月项目全部建设完成，年生产能力为5万片6英寸砷化镓单晶片。