全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出3款新型的25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET，以及IRF6628和IRF6629同步MOSFET。它们适用于服务器和电讯系统中的嵌入式CPU功率VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要高效率和更佳的导热效能，从而提高功率密度。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：“这些25V DirectFET组件切合12V应用的需要，因为它们比竞争对手提供的20V组件具有更充裕的电压空间，功率损耗也比拥有相同动态硅区的30V组件为低。”

IRF6622控制MOSFET的闸电荷相当低 (Qg = 12nC)，有助减少交换损耗。IRF6628和IRF6629同步MOSFET经过最佳化，不但拥有低传导损耗，通态电阻 (RDS(on)) 也相当低，分别只有1.9m 和1.6m。IRF6622采用小罐DirectFET封装和SQ占位面积; IRF6628和IRF6629采用中罐DirectFET封装和MX占位面积。

这些25V DirectFET特别针对每相位20A至30A的设计。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中，假如在每相位采用1对IRF6622和IRF6628，再配合 IR XPhase 芯片组，就可以在130A下达到88% 的效率。在相同情况下，IRF6622和IRF6629的组合之效率更高，在130A下达到88.5%。

产品基本规格如下：