Crystal IS公司CEO Ding Day表示,这笔资金将用于现有2英寸基底产品的扩产及降低价格,在有效成本的前提下生产高性能的UV器件,并在大量的消费应用中开创新的机会。
Crystal IS诞生于Rensselaer Polytechnic Institute孵化项目,该项目的主要目的是研发AlN晶圆的生长技术并生产低缺陷的AlN基底
。公司于2004年9月获得了第一笔510万美元的投资,并于今年早些时候开始量产地缺陷2英寸AlN基底圆片。Crystal IS公司CEO Ding Day表示,这笔资金将用于现有2英寸基底产品的扩产及降低价格,在有效成本的前提下生产高性能的UV器件,并在大量的消费应用中开创新的机会。
Crystal IS诞生于Rensselaer Polytechnic Institute孵化项目,该项目的主要目的是研发AlN晶圆的生长技术并生产低缺陷的AlN基底
。公司于2004年9月获得了第一笔510万美元的投资,并于今年早些时候开始量产地缺陷2英寸AlN基底圆片。