美国飞索半导体（Spansion）宣布，将与台积电（TSMC）共同开发使用多值化及高密度化技术“MirrorBit”、工艺为后40nm的闪存。合作条件没有公布。

    两公司已在采用MirrorBit技术的110nm工艺和90nm工艺方面缔结了协约，此次为拓展了此前的合作范围。TSMC从06年第2季度起，便开始生产飞索半导体的110nm工艺MirrorBit产品所需要的晶圆。90nm工艺MirrorBit产品使用的300mm晶圆生产方面，预定于07年中期投产。