MOSFET 优化直流-直流转换并降低 CPU/GPU 供电
流－直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗

    2006年8月15日——全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

　　这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET 提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

　　安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

　　器件

　　其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

　　　器件　　VDS　　　ID　Rdson@10V　　Qg (典型)
　　NTD4804N　30 V　117 A　 4 mΩ　　30 nC
　　NTD4805N　30 V　 88 A　 5 mΩ　20.5 nC
　　NTD4806N　30 V　 76 A　 6 mΩ　　15 nC
　　NTD4808N　30 V　 63 A　 8 mΩ　11.3 nC
　　NTD4809N　30 V　 58 A　 9 mΩ　10.7 nC
　　NTD4810N　30 V　 54 A　10 mΩ　　 9 nC
　　NTD4813N　30 V　 40 A　13 mΩ　 6.9 nC
　　NTD4815N　30 V　 35 A　15 mΩ　　 6 nC

　　其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在 0.71至0.91美元之间。