---2004年度国际微波学术研讨会（IMS）于6月6日至11日在美国得克萨斯州福特沃斯（Fort Worth）的福特沃斯会议中心举行。与会者不仅聆听到有关业界最新发展概况的演讲，而且还亲眼目睹众多富有创新意义的新产品。下面概要介绍一下即将在此次会议上亮相的部分展品。
线性和混合信号IC
---Analog Devices公司（位于美国马萨诸塞州Wilmington）展出其AD8318 SiGe对数放大器，该放大器可为1MHz～8GHz的输入信号提供一个经过温度补偿的输出电压。这款器件基于该公司业已经过验证的AD8313对数检波器架构，其优点是在精度和温度稳定性方面做了进一步的改进。
---Agilent Semiconductor Products Group（位于美国加利福尼亚州Palo Alto）宣布其ABA系列硅RFIC放大器家族又添新丁，这款新型器件可提供颇具竞争力的噪声系数，2.2～16.1dBm的线性输出电平，DC至2.5～3.5GHz的工作频率范围。
---M/A-COM公司（位于美国马萨诸塞州Lowell）研制的MASWSS0115无引线低损耗SPDT GaAs开关适合于802.11b WLAN应用中的发送/接收功能，以及低功率通用型RF应用。该器件可以用于其他频率范围为DC至3GHz的中低功率开关应用。
---Fujitsu Microelectronics America公司（位于美国加利福尼亚州圣何塞）为此次展会奉献其MB86064双通道14位D/A转换器，该器件具有业界领先的转换率（1Gsps）和DDR（双倍数据率）LVDS接口。批量购买10 000片时的起售单价为119美元。
---California Eastern Laboratories（位于美国加利福尼亚州Santa Clara）展出UPB1009K双变换RF-IF I-Q频率变换器，该变换器专为提供一个完整的GPS接收机用前端并实现与W-CDMA、GPS和PDC系统的兼容性而设计。同时展出的还有面向频率高达2.4GHz的各种无线应用的UPC8211TK SiGe LNA（低噪声放大器）。
---Hittite Microwave公司（位于美国马萨诸塞州Chelmsford）推出的一款型号为HMC484MS8G的10W发送/接收MMIC开关，专门针对频率范围为DC至3GHz的应用。该器件可提供70dBm IIP3和0.5dB插入损耗。
---Mimix Broadband公司（位于美国德克萨斯州休斯顿）展出采用自偏置架构的20～40GHz XL1000 GaAs pHEMT MMIC三级LNA。这款低噪声放大器的工作电压为3.0V或5.0V，噪声系数为2.5dB，信号增益为20dB（在P1dB为8dBm的条件下）。
---该公司还展示了用于驱动基频混频器设备的12DBL0230 GaAs MMIC两级倍频器。这种倍频器可接受频率范围为9～14GHz的输入信号。
---RM Micro Devices公司（位于美国北卡罗莱纳州格林斯博罗）推出众多的产品，包括：可提供较高的击穿电压并含有用于改善热性能的基极和发射极稳流的RF3800系列GaAs HBT驱动器功率放大器;面向无线WLAN应用的RF5189/90功率放大器;面向移动电话、PDA、音频、附件及其他嵌入式应用的SiW3500 Ultimate（终极）无线电处理器;以及针对3V应用的RF3163/64线性功率放大器。 软件
---Ansoft公司（位于美国宾夕法尼亚州匹兹堡）展示面向下一代模拟/混合信号应用（包括高性能RFCMOS、GaAs/SiGe RF IC以及千兆位计算机和通信背板）的Nexxim仿真程序。该工具无须使用模型近似法便可提供仿真准确度以及晶体管级的细节信息。
---Agilent Technologies、EEsof EDA（位于美国加利福尼亚州Palo Alto）公布其新版RF设计工具——ADS 2004A，该工具提供了新颖的布局检验能力和一种新型优化技术。RedHat Linux操作系统支持这种设计工具。
---Applied Wave Research公司（位于美国加利福尼亚州El Segundo）开发的可视系统仿真程序Visual System Simulator 2004是一款专用开放式集成解决方案。该工具的问世使得系统和电路设计师能够在单一环境中共同工作，以便对模拟和数字通信系统进行交互式的自顶向下分析。
--- CST公司（位于德国Darmstadt）展出了Microwave Studio v5.0.1三维电磁仿真软件。
分立半导体器件
---Agere Systems公司（位于美国宾夕法尼亚州Allentown）推出的5种用于无线基站放大器的高性能无引线RF塑料晶体管，与同类器件相比，据称可实现高达25%的成本降幅。这些器件的工作结温为200℃。
---Agilent Semiconductor Products Group（位于美国加利福尼亚州Palo Alto）隆重推出了其线性度最高且采用业界标准的SOT-89封装的ATF-50189 E-pHEMT FET。该器件将使450MHz～6GHz基站向更高信道容量的升级工作得以简化。
振荡器
--- C-MAC MicroTechnology公司（位于美国北卡罗莱纳州Durham）展出了其改进型Pluto 9000和9050系列TCVCXO，它们分别采用了该公司的定制ASIC、振荡器和模拟补偿元件。该公司还重点推出CFPO-D03“单炉式”（Single-Oven）振荡器，它是专为在稳定的环境温度条件下在24小时的时间范围提供优于7μs的保存性能（Holdover Performance）、并在-20～70℃的温度范围内实现2×10-10的峰-峰稳定性而设计的。
---Q-Tech公司（位于美国加利福尼亚州Culver City）展示了面向军事、航空和高温应用的QT-88系列晶体振荡器。该器件的工作温度范围为-55～200℃，电压范围为1.8～5.0V，频率范围为0.015～125MHz，相位噪声为-140dBc/Hz（在10kHz频率条件下）。
---NDK America公司（位于美国伊利诺斯州Belvidere）展出了外形尺寸仅为2.5mm×2.0mm×0.6mm的NX2520DA石英晶体。该器件的基频可高达80MHz。
连接器和电缆
---Aeroflex Inmet公司（位于美国密执根州Ann Arbor）展出带推进式凹形连接器的0.5W扁平SMP端子。这些可用于40GHz以下频率的元件能够提供1.30:1、1.40:1和1.80:1的额定VSWR。
---Astrolab公司（位于美国新泽西州Warren）开发的Minibend电缆组件为0.047英寸和0.086英寸直径的半刚性电缆提供了一种成本效益型的替代方案。这种装有FEP护套并进行了三重屏蔽的电缆具有一个0.060英寸的最小弯曲半径，可处理高达65GHz的频率，并能够与1.85mm、2.4mm和2.9mm的凸形和凹形连接器配合使用。
---Compel Electronics公司（位于美国马萨诸塞州哈佛）推出了一系列适合背板和卡片边缘插接器应用的互连解决方案。这些连接器能够传送RF/微波、数字和电源信号，并有满载或局部加载的触点配置可供选择。
---Corry Micronics公司（位于美国宾夕法尼亚州Corry）展出了一个可提供各种滤波选择方案（包括铁氧体、片式电容器、平面型以及陶瓷管状C和Pi）的D-Sub连接器系列。这些引脚数目从9～50个不等的器件可提供68～5000pF的电容值。
---MegaPhase公司（位于美国宾夕法尼亚州Stroudsburg）展出的SiteLine测试电缆可在高达67GHz的频率条件下工作于RF、微波和毫米波带宽之内。相位稳定性为2.5°～12.0°，而幅度稳定性则为0.05～0.70dB。
无源元件
--- Morgan Electro Ceramics公司（位于美国俄亥俄州贝德福德）现场展示一种介电常数为35、无载Q因子超过40 000/2GHz的陶瓷介质材料。该材料适合于基站空腔滤波器，并可用于蜂窝通信基础设施网络。
---TT Electronics IRC Advanced Film Div.（位于美国德克萨斯州Corpus Christi）展示了其用于生产面向微波设计的阻性元件的TaNFilm氮化钽薄膜工艺。采用这种工艺生产的元件具有5～100Ω/sq的薄膜电阻以及±0.015%的容限范围。
RF组件
---Aeroflex Plainview公司（位于美国纽约州Plainview）展出了PA015018-33窄带中等功率放大器。这种工作频率范围为1.5～1.9GHz的器件可提供2W的输出功率，响应时间小于200ns，从而能够在脉冲流中进行单个脉冲的分离。
---Aeroflex/Weinschel公司（位于美国马里兰州弗雷德里克）推出其Model 75A同轴衰减器和Model 1445A端子，它们能够提供高达5W的输出功率和200W的峰值功率。衰减器具有3dB、6 dB、10 dB、20 dB和30 dB版本。
---Anthercom公司（位于美国加利福尼亚州San Marcos）展出其SSPA 9.0-9.6-50 X频段固态功率放大器，其工作频率范围为9.0～9.6GHz，典型信号增益为60dB。这款配备了DC开关电路且外形尺寸为6.50英寸×8.25英寸×0.75英寸的器件具有50W（最小值）的饱和输出功率。
---AR East公司（位于美国宾夕法尼亚州Souderton）推出了适合于频率高达10GHz的低功耗应用的5S4G11固态宽带放大器。当与扫描发生器一道使用时，这种独立的空气冷却型器件可输送5W（最小值）RF功率。
---DiTom Microwave公司（位于美国加利福尼亚州弗雷斯诺）展出其DF2941三频段隔离器（5.80GHz至14.5GHz）和D3I1840（18.0GHz至40.0GHz）宽带隔离器。这两款器件的外形尺寸为0.5英寸×0.7英寸×0.5英寸，工作温度范围为20～65℃。
---Elcom公司（位于美国新泽西州Rockleigh）展示了其WFS宽带合成器，它为满足ATE、雷达以及EW应用的需要而提供了1.5～3.0GHz的输出频率。该器件具有120μs的开关速度以及用于实现1kHz频率分辨率的内部DDS。
---EM Research公司（位于美国内华达州Verdi）推出了MBS-8000多频段锁相频率合成器，它是锁相YIG振荡器的一种高功效替代方案。该器件的工作频率范围为500MHz～8GHz，开关速度小于1ms，工作电压为12Vdc/250mA。
---Filtel Microwave公司（位于加拿大安大略省渥太华）重点展示了A-DPX1900-X系列PCS同向双工器，其发送频率范围为1950～1990MHz，接收频率范围为1870～1910MHz。插入损耗为1.5dB（最大值），而隔离度为75dB（最小值）。
---Giga-tronics公司（位于美国加利福尼亚州San Ramon）展出了8款隶属其2400系列的新型微波合成器。这些专为通信应用而设计的器件可处理40GHz以下的频率，并提供了小于400μs的开关频率。
--- K&L Microwave公司（位于美国马里兰州Salisbury）展示了其8KCMX0-1990/XN5150 WLAN三工器（triplexer），它由装在一个外壳之中的低通、带通和高通滤波器组成。该器件既可以采用开式框架无引线SMT封装，也可以采用带连接器的封装，并采用极点布局（Pole Placement）来实现通道-通道的隔离。
--- K&L Microwave公司还推出11SH10-1000/T6000-O/O 1GHz高通滤波器，该滤波器将悬浮式衬底和芯片/布线工艺结合起来以实现3.0dB截止/1.0GHz、低于1.0dB的插入损耗（至6.0GHz）和2.0:1的VSWR（1.1GHz至6.0GHz）。这款外形尺寸为1.5英寸×1.5英寸×0.5英寸的器件带有SMA连接器。
---Microwave Concepts公司（位于美国新泽西州Fairfield）展出了工作频率范围为7.25～7.75GHz的A230001-1超低噪声放大器。这款专为卫星通信系统而设计的器件包括一个积分滤波器，该积分滤波器可为频率高于7.9GHz的信号提供25dBc的最小抑制。
--- Ophir RF公司（位于美国加利福尼亚州洛杉矶）推出其可在2.7～3.2GHz的频率范围内输送200W CW功率的Model 4022功率放大器。专为S波段雷达应用而设计的该器件在一个5U高度的机架安装底板中设置了标准的RF输入过驱动保护功能。
--- Piezo Technology公司（位于美国佛罗里达州奥兰多）展出了各种平面型微波滤波器，这些滤波器通常在OEM（原始设备制造商）的PC板上进行滤波处理，从而免除了在组件上进行调谐的需要。这些采用表面贴装或连接器型外壳封装的滤波器所支持的频率范围为1～18GHz。
---Response Microwave公司（位于美国马萨诸塞州Framingham）推出了RMCL可成形、引脚兼容的混合器件和定向耦合器，这些器件的工作频率范围为50MHz～8GHz，增量耦合值范围为3dB～52dB。可处理的功率达500W CW。
---Trak Microwave公司（位于美国佛罗里达州坦帕）展示了其C波段MFX128高度计组件。这款典型输出功率为30 dBm、功率控制范围为60 dB的器件实现了3 dB的噪声系数、14 dB的回程损耗以及500kHz～25MHz的视频带宽。
--- 更多有关此次国际微波学术研讨会的信息请与IEEE的Jennifer Tursa联系，电话：001-800-810-4333，传真：001-732-981-1203，e-mail：j.tursa@ieee.com，或访问http://www.ims2004.org网站。
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