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三星DDR2芯片制造工艺全部从90纳米过渡80

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    据国外媒体报道,全球最大的内存厂商韩国三星电子8月29日(周二)表示,目前已经开始用八十纳米工艺生产1Gb DDR2内存芯片。芯片面积比原先减少了36%。  

  过去,三星电子使用九十纳米工艺生产DDR和DDR2内存芯片。在采用八十纳米工艺之后,不仅可以提高芯片的质量,同时,三星电子可以在同一块晶圆上获得更多内存芯片,从而降低产品价格。

  据三星电子公司称,目前,该公司所有的DDR2内存芯片全部使用了八十纳米工艺。从今年三月份开始,三星电子开始采用八十纳米工艺制造512Mb内存颗粒。 

  在国际半导体行业,采用更小的线宽,以及更大的晶圆已经成为一种厂商降低成本,提升竞争力的一种主要模式。

来源:E代电子   作者:  2006/8/30 0:00:00
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