AMD的研发人员在日本京都举行的超大规模集成电路研讨会上详细介绍多种迄今性能最高的晶体管。由于晶体管是未来一代微处理器设计的基石，因此晶体管的开关速度越快，为客户提供的解决方案性能也会越高。

在大会上介绍的其中一批晶体管采用全空乏绝缘硅（FDSOI）技术，开关速度远比其他 P 沟道金属氧化半导体（PMOS）晶体管高，即使与最近发表的晶体管比较，这批崭新晶体管的开关速度也快 30%。另一批在会上介绍的晶体管采用受压硅晶（Strained Silicon）及金属门技术，这种 N 沟道金属氧化半导体（NMOS）晶体管可以发挥比采用传统受压硅晶技术的晶体管高 20～25% 的性能。

本文摘自《半导体技术》