台湾后段内存测试产能，因为近几年产业低迷厂商扩充设备不足，致使2003年在各DRAM大厂持续增加产出，台湾内存测试产能出现失衡迹象，第三季市场缺口高达2成，致使内存测试价格攀升。第四季时，部分测试大厂，添购爱德万(Advantest)T5585测试机及二手机台陆续到位，台湾内存测试自市场缺口才稍有纤解。

2004年后，碍于上游DRAM厂产出减少，测试产能吃紧情况已缓解。至于上游DRAM厂产出减少的原因有：淡旺季因素、月初盘点，及部分DRAM厂2003年底时因业绩考量，将产出的晶圆片全拿出来做后段封测，导致2004年1月初需要后段封测的晶圆片数量锐减，致使整体后段测试需求降低。

目前台湾内存测试市场供需平衡，因此，测试价格跨人年初后，出现持平。不过，业者认为，自2月起，DRAM厂将突破12寸晶圆0.15微米转为0.13微米的制程瓶颈，DRAM产出增加的量与速度都会攀升，若业者机台没有大举添购，则内存测试市场缺口将再度出现，加上制程转换后，DDR产出数量会多于2003年，届时台湾内存供需失衡情况会日益严重，测试价格也会持续飙升。

本文摘自《集成电路应用》