英特尔公司宣布，在远紫外线(EUV)光刻技术开发方面，取得两项重要成果里程碑式的突破。英特尔公司安装了全球第一套商用EUV光刻工具，并建立了一条EUV掩模试产线，表明该技术已从研发阶段进入试用阶段。

光刻技术是用于将电路印刷到计算机芯片的技术。为了在一枚芯片上安装更多晶体管，半导体制造商必须印刷不断缩小的部件。目前之所以开发EUV光刻技术，是因为预计当前的芯片印刷技术将在未来几年内达到其极限。英特尔预计此技术将于2009年开始应用到大批量生产中。

EUV微型照射工具(Micro Exposure T001)(MET)和采用世界首套EUV掩模制造工具的EUV掩模试验线的建立，将使英特尔能够印刷尺寸小于30纳米(nm)的电路，从而为EUV光刻技术投产后所需的15纳米分辨率做好准备。相比之下，今天在英特尔制造厂印刷的最小尺寸为50纳米。

本文摘自《半导体技术》