罗门哈斯公司电子材料研磨技术部门近日宣布，一家300mm半导体集团已成功的导入EPL2361铜研磨液和CUS1351阻挡层研磨液，在使用这些研磨液并配合罗门哈斯公司的研磨垫及在CMP技术公司工程师现场协助下所开发的工艺后，大幅提高了120nm和90nm技术节点的总产量。这种CMP研磨液、研磨垫和工艺支持的结合，还使得该集团在所有特性上减少了50％以上的凹陷和磨蚀、与CMP相关的缺陷大幅下降并且研磨垫的使用寿命延长了300％以上。该集团还进一步证实，这些铜CMP研磨液、研磨垫、工艺提供的可重复、可预测效能和充裕的工艺操作范围，显示出优越的薄膜层之间、硅片间及批次间的一致性。并大幅增加了产量并在大批量生产先进的逻辑组件时整体工艺性能取得显著提高。

本文摘自《中国集成电路》