台联电宣布推出先进的0.18微米嵌入式高压工艺技术。这项工艺技术能满足日益成长的便携式LCD市场的需求，为门极驱动、源极驱动及控制器提供不同的电压，并且因嵌入4平方微米超高密度SRAM组件，得以产出较小面积的单一芯片。

此项先进的高压工艺技术仅需多加一层光罩的程序，即可增加可多次编程(MTP)非挥发性内存(NVM)的功能。可多次编程内存功能具有SRAM修补以及微调IC的性能，确保晶圆上的每一个芯片性能一致，并降低整体成本与上市时程。由于非挥发性内存可多次编程，因此可提供客户更大的弹性，以因应各个应用产品的不同来设定/重新设定IC。

此外，UMC表示，该公司所提供的单一芯片解决方案代表了这些产品可以用更小的尺寸来制造。而该公司的日本附属晶圆专工公司UMCJ自从今年初开始，已经持续为客户产出0.18微米20V高压产品，预计将在2004年底开始，利用0.18微米 32V工艺技术试产客户的LCD芯片。

本文摘自《半导体技术》