据《日本经济新闻》报道,东芝将投资120亿日元(折合为1亿美元)在大分县的内存制造厂兴建一新的生产线。
大分厂主要生产系统大型芯片(LSI),也有少量SRAM产能。新的生产线主要制造NAND型闪存 (flash)芯片,用于数码相机等装置。这也将使东芝今年半导体投资金额增至1300亿日元,较之前预期高出10%。
Flash生产线预计在明年10月投产,将以8英寸晶圆形式每月生产3250颗flash芯片。东芝也计划斥资1500亿日元在大分厂兴建12英寸晶圆新厂,预计在2006年度开始运转。
东芝已计划将三重县四日市内存工厂产能提高20%,但为因应NAND型flash需求快速增加,因此决定扩充大分厂设备。
