Renesas技术公司开发出芯片面积为以往的SRAM的1/2～1/3、且使软件错误率减少两位数的低耗电量SRAM“superSRAM”。该产品无须进行刷新动作且待机电流小，可用于手机基带LSI用工作内存等。

该产品开发出单元面积只相当于现有的SRAM的1/2～1/3的小型新型存贮单元。该存贮单元组合了TFT负荷型SRAM单元和DRAM电容器。在Load Transistor采用p Channel型TFT（基板使用薄膜多结晶硅的晶体管）、驱动晶体管采用n Channel型MOSFET的TFT负荷型SRAM单元中加入在DRAM中使用的圆筒型堆叠型电容器（Stack Capacitor）。由于使用DRAM电容器充放电来记录和读取数据，因此缩小了SRAM单元的驱动晶体管的尺寸从而减小了单元面积。superSRAM使单元面积减小的另一个原因是其TFT负荷型SRAM单元只采用了n Channel型MOSFET。由于现有的SRAM中广泛被采用的是CMOS型单元中MOSFET同时使用p Channel型和n Channel型，因此需要两者之间的隔离区域，所以单元面积也相应地增大。此次使用DRAM电容器作为数据记忆节点从而使软件错误率在以往SRAM的基础上减小2位数左右。

由于组合了SRAM单元，superSRAM采用了DRAM电容器但又不必进行刷新动作。由于利用SRAM单元内的Load Transistor和驱动晶体管自动向DRAM电容器供应电荷，因此无须进行刷新动作。此次实现产品化的16MBit superSRAM的数据保持电流值为1uA（当电压为+3.0V，温度为25℃时），与容量相同的现有的SRAM大体相等。手机大容量内存所使用的模拟SRAM内置DRAM存贮单元。在模拟SRAM中，由于电容器中保存的信息经过一段时间以后会消失，因此需要定期进行刷新，结果使待机电流高达100μA。

今后该公司将开发32M Bit产品作为superSRAM的第二个产品，采用与此次实现产品化的16M Bit产品相同的封装（52引针uTSOP）。