根据南韩eTimesinternet 24日的报导，三星电子将在12英寸晶圆厂和8英寸厂采用纳米制程，并计划在明年第二季采用90纳米制程量产DRAM。

三星日前表示，下个月其12英寸晶圆专用厂Fab12将率先引进ArF（氟化氩）系统。同时，不仅是12英寸厂，该公司亦计划在Fab9、Fab10与Fab11等8英寸晶圆厂引进ArF系统。为采用90纳米制程量产DRAM，在曝光制程上虽需引进ArF系统，以取代既有的KrF（氟化氪）系统，然就8英寸晶圆厂而言，仅需在部分核心制程设置一两台ArF系统即可。

三星同时表示，计划在明年第二季度量产90纳米DRAM。而且，基于制程风险考虑，在8英寸晶圆厂先行量产的可能性极高。

三星电子若将目前进入量产阶段的0.11微米制程升级到90纳米，预期每片晶圆的晶粒产量将增加49％。同时，若步入纳米制程，将可生产Giga DRAM。