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飞利浦推出LFPAK封装MOSFET

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飞利浦电子集团推出针对DC/DC转换器应用而设计的SOT669无损封装(LFPAK)MOSFET。新LFPAK器件具有体积小、效率高、性能更加优化等特点,适用于笔记本电脑、台式机、服务器、高频应用等。

飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点包括接近于零的封装电阻和主板连接低热阻,以增强功率功能。MOSFET还具有低封装电感,从而提高了开关速度,使其适用于企业计算等高频应用。小体积与卓越的热性能使功率损失降低,以制造商能够开发体积更小、效率更高的设计,同时减少元件的数量。飞利浦的LFPAK封装
MOSFET不但性能比SO8封装好,同时维持引脚不变。SOT669 LFPAK专门针对功率封装设计,不同于专门为开关而设计的SO8封装。

通过结合更大功率封装突出的热性能与降低了40%只有1.1mm的厚度,新推出的LFPAK封装MOSFET具有封装尺寸小和优化的功率性能。在某些情况下,设计师们能够减少应用所需的功率封装数,从三个SO8封装减少到两个LFPAK。

除了从封装底部外,LFPAK还从封装的顶部分散热量,相对SO8来说,优化了散热性能,并提供更优越的热阻。LFPAK MOSFET的电感值比SO8的要低50%,从而加快了开关速度。LFPAK封装MOSFET还使电源的功率转换到应用更加有效,从而延长电池或电源的寿命。
来源:中电网   作者:  2003/7/18 0:00:00
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