意法半导体日前宣布即将开始供应采用180nm互补MOS技术的嵌入式闪存。ST的180nm嵌入闪存技术使每个闪存单元仅占0.37um2硅片面积，降低了在芯片上制造存储阵列所需的硅面积。

这项新技术特别适合汽车应用。在汽车应用中，嵌入式闪存广泛用于主要功能的片上系统解决方案(SoC)，如发动机管理单元和导航及信息系统。这项技术支持主流核心控制器如汽车应用中被广泛采用的ARM7、ARM9 和 ST10，以及多处理器体系结构。内置这些核心的演示芯片正在接受用户在全温度范围的验证。

这个180nm嵌入式闪存技术兼容基本的180nm逻辑工艺（单元库和核心），宏单元灵活，可以快速定义高达10兆位的用户指定的存储阵列，扇区可以划分到最小8千字节。此外，宏单元还具有内部自测试（BIST）特性。