近日传出，台湾富士通、超微 (AMD)将与旺宏结盟，扩大快闪内存 (Flash)市占率，挑战英特尔霸主地位。此外，旺宏下半年举行100亿台币增资计画，也可能引进国际伙伴。超微目前与富士通结盟，双方合资成立FASL公司，拥有三座8寸晶圆厂，投产NOR型Flash，全球市占率达30%，仅次于英特尔。超微有意跨足NAND型Flash技术，加上FASL无意续建12寸厂晶圆厂，市场传出，拥有Nbit技术及12寸厂生产线的旺宏，近期开始与FASL接触。 旺宏指出，Nbit技术具有双面Flash效能，也就是说，旺宏以0.12微米投片，晶圆双面产出、颗粒倍增，相当于0.06微米的效能，成本效益可观。该项技术将于下半年量产，产品以128M以上高阶Flash为主。