安森美半导体日前宣布，其硅锗Gigacomm系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比，可节省电路板空间并提高热性能。

采用QFN封装的Gigacomm器件目前额定温度范围为-40° C to +85° C，尺寸为3 mm x 3 mm，比倒装球栅阵列（FCBGA）封装减少44%。QFN的结温为每瓦功耗55°C。安森美半导体的数据与时钟管理Gigacomm集成电路系列，结合创新的设计、SiGe工艺和QFN封装，频率达12千兆赫以上。