意法半导体（ST）日前推出了更高密度和更高性能的16兆位闪存器件M50FW016 (2兆位 x8, 固件插座, 均匀块) 和M50LPW116 (2兆位 x8, 少量引脚, 引导块)。

这两款16兆位器件兼容少量引脚接口规范1.1版本的器件，M50FW016支持多字节固件存储器读/写循环，M50LPW116支持读/写存储循环。因为多字节读操作，传输速率可以提高到每秒15.6兆字节。

这些器件是利用ST的0.15微米工艺开发的，都支持在块级别上的电擦除和以字节为单位的系统中编程，电源电压3.0 到 3.6V，还提供一个可选的12V Vpp电源。两个器件的编程时间都是10微秒（典型值），通过四倍字节编程命令，可以选择对存储阵列内的四个相邻字节进行同步编程。一个64千字节的块的擦除时间是0.75秒（典型值），不过也支持芯片擦除操作。

M50FW016 由32个均匀块构成，每块64千字节。M50LPW116 拥有 一个非对称块体系结构：50个块组成的阵列可以分成一个1 6千字节的引导块、两个8千字节的参数块、一个32千字节的主块、三十个64千字节的主块和十六个4千字节的参数块。

M50FW016和M50LPW116闪存的全部功能性都可以通过固件插座和少量引脚接口分别实现，此外，一个地址/地址多路复用（A/A复用）协议选项允许在用户的生产线上实现更快的编程时间。