据Reed-Electronics网站报道，美国专利商标局近期公开了一项由韩国发明家Ja Uk Koo和Hyoung Chan Kim研发的，提高键合性能的倒装焊键合方法和衬底结构。

专利部门公布的发明摘要表示，该倒装焊键合方法包括：芯片预处理、划片，从而得到预处理后的单个芯片;衬底预处理;芯片与衬底标记对准，通过超声波和加压加热实现键合。

最后，对于填充或铸模树脂进行键合后性能后处理，通过电镀凸点实现芯片和衬底的结合。

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http://www.reed-electronics.com/semiconductor/articleXml/LN516392742.html