据Semiconductor Reporter网站报道，Tokyo Electron Ltd.近期发布了其最新的300mm金属化学气相沉积(CVD)系统，该系统可以实现Ti/TiN薄膜的低温制程。

Trias LT Ti/TiN设备基于TEL的Trias平台，满足了制造过程中的低温制程要求。该系统整合了增强型喷头设计，可以在一个较宽泛的温区内实现圆片温度控制。

通过采用TEL独特的制程技术和整合喷头设计，Trias LT实现了势垒金属接替覆盖的低接触电阻和减少连接线遗漏的要求，TEL表示，Trias LT设备同时具有很好的生产一致性和可重复性以及粒子增强性能。

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http://www.semireporter.com/public/14699.cfm