Sigma-C GmbH新推出的建模工具有助于芯片制造人员评估浸入式光刻的性能。通过在晶圆和步进透镜之间充满一层液体，可将目前193nm曝光设备扩展应用到45nm或更小的芯片制造节点中。 该工具模拟了加深的聚焦深度，仿真了在节点使用沉浸光刻技术的立体晶圆堆栈外形，可确定映射到晶圆上掩模的移动步长，并输出一个立体的保留外形。设计人员在生产之前可通过评估来判断芯片的工艺是否正确。        Sigma-C  www.sigma-c.com