由领先半导体制造商组成的国际Sematech联盟(ISMT)工程工作组目前认可了一种名为MSQ的多孔渗水低K材料，采用193纳米波长光刻技术，用于在300mm直径的晶圆上加工130纳米特征尺寸的双嵌入式铜工艺。
　　这种MSQ(methylsilsesquioxane)薄膜材料由硅氧及碳氢化合物组成，物理结构类似于meringue。MSQ介电常数约为2.5，ISMT表示，目前业内使用的低K材料K值范围为2.65~3.0。
　　ISMT没有详细解释质量认证的细节，但声称这项进展有可能促进MSQ作为芯片制造商在65纳米制造工艺技术节点的一种超低K备选方案。
　　ISMT技术专家表示，超低K材料允许芯片上极薄的铜线布局非常靠近，不会出现短路或泄露电流，有可能在2到5年内被应用于商业化制造领域。
　　多孔渗水MSQ克服了几大工艺挑战，包括薄膜碳损耗、结构性缺陷、对化学品的易感性。