据EE Times网站报道，在日前举行的国际互联技术会议上，以IBM为首的数家芯片制造商们展示了其65纳米节点下新型低k介电材料技术。

这种掺碳的氧化硅材料SiCOH，其k值可达2.75。目前IBM正在使用的低k材料，其k值为2.9-3.0，用于90纳米节点。IBM表示将继续使用该材料用于65纳米的早期制造，再逐步过渡到2.75 k值的材料。

这种材料采用CVD技术制备。与之前的材料相比，这种材料掺了更高剂量的碳。

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