据DigiTimes网站报道，美光(Micron)全球执行长Steve Appleton近期表示，美光将会在2007年度投入35亿美元巨资扩充NAND闪存设备。分析师认为，美光之所以会有如此规划，主要希望在接下来竞争激烈的NAND闪存市场中，与三星电子(Samsung Electronics)及东芝(Toshiba)等大厂竞争，也正因为国际NAND闪存大厂全力投入，台系DRAM厂将可因此在市场中取得绝对优势。

美光与英特尔(Intel)所共同出资成立的IM Flash内存公司，虽属于NAND闪存市场的后进者，其对于NAND闪存的信心并不输给三星、海力士、东芝，除了在制程技术上的全力挺进外，同时在产能扩充上亦不落人后。分析师认为，这部份应该是用于扩增IM Flash自有12寸厂产能所需的机器设备，以便能在2008年让自有晶圆厂顺利运作。

近来几家NAND闪存一线厂商对于投资扩产丝毫未见手软，东芝近期公布的2008年度半导体事业计划细项表明，将更积极布局NAND闪存，计划第五座厂最快在2008年内开始投产，其投资金额将高达6,000亿日圆(约51.03亿美元)。

而面对几大NAND闪存厂商不断扩充产能，对于标准型DRAM的投入程度自然不像过去那样深，但反观台系DRAM厂商目前所有扩充产能，大部份还是用于投入标准型DRAM，像茂德在投入晶圆三厂甚至晶圆四厂，茂德始终不改初衷，至于NAND闪存，则再依市场情况而定。

南亚科、华邦电等DRAM厂，所有投入的资源无不是用于标准型DRAM，目的希望能够在国际内存大厂争夺NAND闪存市场之际趁势坐大。